TSMC تستعد لبدء الإنتاج لعملية تصنيع 3e نانومتر المحسنة قبل الموعد

سويفت نيوز_وكالات :

أكدت أحدث التقارير على خطط TSMC لبدء إنتاج الرقاقات المميزة بدقة تصنيع 3 نانومتر قبل الموعد المحدد سابقاً

تعمل شركة TSMC في الوقت الراهن على تحسين عملية التصنيع المميزة بدقة 3 نانومتر إلى N3e، وذلك إستعداداً لبدء الإنتاج

تطور كلاً من سامسونج وTSMC في الوقت الحالي عملية تصنيع الرقاقات بدقة 3 نانومتر، حيث ترتكز عملية تصنيع TSMC على ترانزستورات FinFET، بينما ترتكز عملية سامسونج على معمارية GAA

ولقد أكد التقرير الذي جاء من Wccftech على أن TSMC تستعد للإنتاج الضخم للشرائح المميزة بدقة تصنيع 3 نانومتر قبل الموعد المحدد

أيضاً اشار Morgan Stanley إلى أن إنتاجية الشرائح المميزة بدقة تصنيع 3 نانومتر أعلى من المتوقع، لذا تتجه الشركة من تصميم N3e بحلول نهاية هذا الشهر، أيضاً من المتوقع أن تبدأ في الإنتاج الضخم للشرائح المميزة بدقة تصنيع N3e في الربع الثاني من 2023، وهو موعد مبكر عن خطط الشركة السابقة لبدء الإنتاج في الربع الثالث من العام المقبل